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FT-CZ1200Si/1400Si

硅部件级单晶炉

单晶炉 - 在惰性气体环境中,用石墨加热器将硅材料熔化,用直拉法生长无位错单晶的设备 拉晶过程全程自动化。

大直径结构
针对大直径单晶硅棒生长所需空间,目前已批量生产φ650mm大直径单晶硅棒。

结构精良
机械部分均采用高精度数控加工。
炉子腔体内外层均采用低碳不锈钢,双层水冷式结构。
运动部件真空密封,采用磁流体密封技术。
炉腔法兰为整体锻造件。
配套有CCD晶棒直径自动控制系统ADC。
密封圈材质采用氟橡胶。
高品质真空管路系统。
电源供应系统。


安全配置
具有电源安全保护装置,炉压异常报警系统,炉体水路异常报警系统。
采用自动报警系统和两次泄压装置,小量泄露启动泄压阀即可,大量泄露炉盖自动弹开泄压。


控制系统
全面数字化管理、全自动操作(操作界面集成磁场系统、液位控制系统的操作)。
 
多次装料
根据客户要求可提供多种规格的加料器。
实现多次装料的技术,可分为内部装料和外部装料,大大提高生产效率,降低生产成本。
采用自行研发的坩埚抓取机械手,使每次开炉后的冷却时间减少。
磁流体密封技术,保证了设备整体的转动密封性。
自行研发设计的水冷套,提高晶体品质。
自行研发设计的取棒车,方便取成品晶棒和运输。
 
健全的质量管理
材料受入检验,保障材料品质、精度。
完备的作业指导文件,分解部套装配流程。
过程和产品监视测量控制程序,保证出货设备的一致性。
 
服务内容
售前服务 — 提供完善的售前咨询服务,包括工厂车间设计方案,产能设计方案等。
生产培训 — 客户生产前的整体培训,以及生产过程中的指导。
技术人员驻厂服务 — 协助客户解决生产过程中遇到的问题。
及时零部件配送 — 我们提供快递式的零配件配送服务,以确保客户的生产效率。
定期回访客户 — 及时了解客户的进一步需求,保证客户的满意度。
软件升级 — 设备上使用的软件具备实时更新功能。

  硅材料级
FT-CZ1200Si
硅材料级
FT-CZ1400Si
场所 周围温度   15-30℃ 15-30℃
周围湿度 ≤65%(无结露、腐蚀气体) ≤65%(无结露、腐蚀气体)
洁净度 一般环境水平 一般环境水平
噪音 ≤75db ≤75db
地基 3000kg/㎡以上 3000kg/㎡以上
电源 定格电压 3P 380VAC±10% 50/60Hz 3P 380VAC±10% 50/60Hz
定格容量 320kVA 350kVA(主副合算)
定格电流 500A 530A(主副合算)
冷却水 流量范围 350 ~ 400L/min 350 ~ 400L/min
供给压力 0.3 ~0.4MPa 0.3 ~0.4MPa

基本参数 
设备高度 <8250mm <8800mm
设备重量 约10T 约15T

 

 

 

全国热线

021-36162928

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